国家自然科学基金委近期2023年度专项课题申报通知(2023.11.14更新)

发布时间:2023-11-14 供稿:科研处 分享至:

各二级单位,机关及直属各部门:

国家自然科学基金委发布2023年度各类专项项目指南,现将有关工作通知如下:

一、项目介绍

1、“双碳”专项项目(二)——“工程与材料领域低碳科学基础研究”

项目说明:(一)多元低钙胶凝材料的基础研究;(二)大宗固废制备低碳水泥的基础研究;(三)低碳高性能渣土基骨料混凝土设计理论与方法;(四)基于低碳建筑目标的混凝土材料-结构一体化设计理论与方法;(五)绿色低碳生物基可降解橡胶基础研究;(六)铝冶金新方法及节能提效研究;聚光太阳能全光谱光-热-储协同利用;(八)LNG管网综合输送与“冷能”利用(申请代码1选择E1202);(九)城市多介质碳污协同减控关键技术原理(申请代码1选择E1008);(十)页岩油储层CO2利用与地质封存基础研究(申请代码1选择E0402)。本专项项目资助期限3年,申请书中研究期限应填写“2024年1月1日-2026年12月31日”,计划资助10-12项,平均资助强度200万元/项。

申报时间:2023年12月10日-12日16:00时。

 链接:关于发布工程与材料科学部“双碳”专项项目(二)<br>——“工程与材料领域低碳科学基础研究”项目指南的通告 (nsfc.gov.cn)

 

2、“集成电路关键材料前沿探索”原创探索计划项目

项目说明:本项目面向集成电路用关键材料,具体科学目标如下:(1)聚焦光刻胶、柔性集成电路载板等高分子材料的结构设计、固化机制及复合材料界面微结构演变与失效机理,实现关键材料的理论预测、精准合成与技术突破;(2)针对集成电路尺寸微缩瓶颈与挑战,发展低功耗、高集成度器件应用所需的新型非硅CMOS沟道材料、晶体栅介质材料、高效电光调制系数材料和三维堆叠铁电存储阵列材料;(3)针对集成电路极限制程封装的微凸点高质量制备和高密度互连需求,发展晶圆级微凸点互连材料,实现封装电接触材料的精准构筑。

申报时间:预申请提交时间为2023年11月24日-11月26日16:00时

链接:2023年度国家自然科学基金指南引导类原创探索计划项目<br>——“集成电路关键材料前沿探索”项目指南 (nsfc.gov.cn)

 

3“芯片亚纳米级制造前沿探索”原创探索计划项目

项目说明:(一)芯片制造过程中的亚纳米级去除新原理与新方法;(二)芯片先进制程中的三维亚纳米级结构构筑新原理与新方法;(三)第四代半导体材料的亚纳米级制造新原理;(四)芯片亚纳米级制造过程中的缺陷检测与修复。本原创项目资助期限为3年,申请书中研究期限应填写“2024年1月1日-2026年12月31日”。计划资助4-5项,平均资助强度200万/项。

申报时间:预申请提交时间为2023年11月24日-11月26日16:00时

链接:2023年度国家自然科学基金指南引导类原创探索计划项目<br>——“芯片亚纳米级制造前沿探索”项目指南 (nsfc.gov.cn)

 

4“未来集成电路新理论与技术基础研究”专项项目

项目说明:(一)CMOS兼容的硅光器件、接口及硅基三维集成工艺;(二)硅基毫米波数字化多波束相控阵芯片关键技术;(三)面向复杂数字电路的逻辑智能化全自动生成方法;(四)面向器件-芯片-系统全链条的协同设计理论与方法。;(五)面向具身智能及类脑智能大模型的新型计算架构。拟资助项目7项,计划资助平均资助强度为300万元/项左右,资助经费总强度约为2000万元。资助期限为3年,申请书中研究期限应填写“2024年1月1日-2026年12月31日”。

申报时间:在线申报接收期为2023年11月29日-12月6日16时。

链接:“未来集成电路新理论与技术基础研究”专项项目申请指南 (nsfc.gov.cn)


二、申报方式

  线上申报,请申报老师仔细阅读相关指南,于申报截止日前3-5日完成网上提交,并与科研处联系审核提交事宜。申报过程中有问题请及时联系科研处:

  联系人:李霞,李欣 电话:50217734  E-mail:kyjh@sspu.edu.cn

    科研处

20231114


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